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    德國IFM易福門,IFM易福門,IFM接近開關,IFM接近傳感器

    瀏覽次數:2634發布日期:2013-04-19

    德國IFM易福門,IFM易福門,IFM接近開關,IFM接近傳感器/39529829/39529830:單榮兵
    ①IFM接近傳感器 由于能以非接觸方式進行檢測,所以不會磨損和損傷檢測對象物。
    ② 由于采用無接點輸出方式,因此壽命延長(磁力式除外)采用半導體輸出,對接點的壽命無影響。
    ③ 與光檢測方式不同,適合在水和油等環境下使用檢測時幾乎不受檢測對象的污漬和油、水等的影響。此外,還包括特氟龍外殼型及耐藥品良好的產品
    ④ 與接觸式開關相比,可實現高速響應
    ⑤ 能對應廣泛的溫度范圍
    ⑥ 不受檢測物體顏色的影響對檢測對象的物理性質變化進行檢測,所以幾乎不受表面顏色等的影響
    ⑦ 與接觸式不同,會受周圍溫度的影響、周圍物體、同類傳感器的影響包括感應型、靜電容量型在內,傳感器之間相互影響。因此,對于傳感器的設置,需要考慮相互干擾。此外,在感應型中,需要考慮周圍金屬的影響,而在靜電容量型中則需考慮周圍物體的影響。德國IFM易福門,IFM易福門,IFM接近開關,IFM接近傳感器/39529829/39529830:單榮兵
    傳感器的測量通常是傳感器固定處構成電容器的個極板,而另個極板是在測量過程中通常是接地或與設備的機殼相連接。當有物體移向傳感器時,不論它是否為導體,由于它的接近,總會使電容器兩極板間的介電常數發生變化,從而使電容器的電容量發生變化,使得和測量頭相連的電路狀態也隨之發生變化,由此便可達到非接觸式的檢測目的。這種接近開關檢測的對象,不限于導體,可以緣的液體或粉狀物等。
    3、霍爾式傳感器
    當塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產生電位差,這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為U=K·I·B/d,其中K為霍爾系數,I為薄片中通過的電流,B為外加磁場(洛倫慈力Lorrentz)的磁感應強度,d是薄片的厚度。
    由此可見,霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。霍爾元件就屬于這種有源磁電轉換器件,是種磁敏元件。它是在霍爾效應原理的基礎上,利用集成封裝和組裝工藝制作而成,它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號,同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。霍爾開關就是利用霍爾元件的這特性制作的,它的輸入端是以磁感應強度B來表征的,當B值達到定的程度(如B1)時,霍爾開關內部的觸發器翻轉,霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端般采用晶體管輸出,和其他傳感器類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型(雙極性)、雙信號輸出之分。霍爾開關具有無觸電、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點,內部采用環氧樹脂封灌成體化,所以能在各類惡劣環境下可靠的工作。德國IFM易福門,IFM易福門,IFM接近開關,IFM接近傳感器/39529829/39529830:單榮兵
    當磁性物件移近霍爾開關時,開關檢測面上的霍爾元件因產生霍爾效應而使開關內部電路狀態發生變化,由此識別附近有磁性物體存在,進而控制開關的通或斷。這種接近開關的檢測對象必須是磁性物體。
    4、光電式傳感器
    光電式傳感器利用的是光電效應。將發光器件與光電器件按定方向裝在同個檢測頭內。當有反光面(被檢測物體)接近時,光電器件接收到反射光后便在信號輸出,由此便可“感知”有物體接近。
    利用光電式傳感器制作的光電式接近開關可以檢測各種物質,但是對于流體的檢測誤差較大。
    5、熱釋電式傳感器
    熱釋電式傳感器能感知溫度變化,將熱釋電器件安裝在開關的檢測面上,當有與環境溫度不同的物體接近時,熱釋電傳感器的輸出信號發生變化,通過對傳感器輸出信號的轉化便可檢測出物體的接近。
    6、線性接近傳感器
    線性接近傳感器是種屬于金屬感應的線性器件,接通電源后,在傳感器的感應面將產生個交變磁場,當金屬物體接近此感應面時,金屬中則產生渦流而吸取了振蕩器的能量,使振蕩器輸出幅度線性衰減,然后根據衰減量的變化來完成無接觸檢測物體的目的。
    該接近傳感器具有無滑動觸點,工作時不受灰塵等非金屬因素的影響,并且低功耗,長壽命,可使用在各種惡劣條件下。線性傳感器主要應用在自動化裝備線對模擬量的智能控制。/39529829/39529830:單榮兵

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