OMRON接近傳感器參數(shù)及特點(diǎn)

對(duì)模擬數(shù)字混合IC“PROX2"執(zhí)行“出廠時(shí)寫入溫度補(bǔ)償值"，將溫度變化對(duì)檢測(cè)距離的影響控制在較小，這是以往的模擬IC 無法實(shí)現(xiàn)的。

E2E NEXT的檢測(cè)距離約為以往產(chǎn)品的2倍。例如，M12的檢測(cè)距離為7mm，與以往的M18一樣。

與e-治具組合，可輕松地將現(xiàn)有設(shè)備升級(jí)為“傳感器更換時(shí)間10秒*1"的設(shè)備。

溫度的影響0～+85oC的溫度范圍內(nèi)+23oC時(shí)的檢測(cè)距離的±20%以內(nèi)

電壓的影響在額定電源電壓的±15%范圍內(nèi)，額定電源電壓時(shí)的檢測(cè)距離的±1.5%以內(nèi)

絕緣電阻50MΩ以上(DC500V兆歐表)充電部整體與外殼間

耐電壓AC1,000V 50/60Hz 1min充電部整體與外殼間

振動(dòng)(耐久)10～55Hz 雙振幅1.5mmX、Y、Z各方向2h

沖擊(耐久)1,000m/s2X、Y、Z各方向10次

電源電壓DC10～30V含波動(dòng)(p-p)10%、Class2

消耗功率720mW以下(電源電壓24V時(shí)30mA以下)

輸出形式B□型：PNP開路集電極C□型：NPN開路集電極

保護(hù)電路電源反接保護(hù)、浪涌吸收、負(fù)載短路保護(hù)、輸出反接保護(hù)

環(huán)境溫度范圍工作時(shí)：0oC～+85oC、保存時(shí)：-15oC～+85oC(無結(jié)冰、無結(jié)露)*3

環(huán)境濕度范圍工作時(shí)、保存時(shí)：各35～95%RH(無結(jié)露)

PRD(Pulse Response Detection)是指，圈中有脈沖狀的電流流過時(shí)，對(duì)檢測(cè)物體上產(chǎn)生的電流變化進(jìn)行檢測(cè)的技術(shù)。憑借飛濺物難以附著的氟樹脂涂層技術(shù)，即使將產(chǎn)品安裝在飛濺物飛散的場(chǎng)所，維護(hù)頻率也可以保持在較低情況。

以轉(zhuǎn)速130rpm用不銹鋼刷進(jìn)行耐磨損性測(cè)試的結(jié)果，樹脂檢測(cè)頭在50分鐘時(shí)發(fā)生絕緣破壞，而金屬檢測(cè)頭即使400分鐘后也未發(fā)生絕緣破壞。

可實(shí)時(shí)了解接近傳感器檢測(cè)到多少檢測(cè)物體，從而掌握無法通過目視了解的設(shè)備日常的條件變化。

鐵和鋁共有有M12和M18尺寸、加上NO和NC各輸出類型的合計(jì)4個(gè)機(jī)型庫存的用戶，在使用E2EW時(shí)可將該4個(gè)機(jī)型合并為M12尺寸NO＋NC 2輸出型的1個(gè)機(jī)型。

無需繁雜的庫存管理，還可大幅減少庫存貨架的空間。

E2E NEXT系列憑借長(zhǎng)距離穩(wěn)定檢測(cè)技術(shù)“熱敏遠(yuǎn)距離控制"和模擬數(shù)字混合IC，解決了增大接近傳感器檢測(cè)距離時(shí)的課題——溫度變化產(chǎn)生的影響以及傳感器的個(gè)體差異。

OMRON接近傳感器參數(shù)及特點(diǎn)